金田式 DCアンプシリーズ 電源ダイオードのSBD化お勧め一覧
2002.05.10 出典:出川三郎氏 (C)copyright 2002 s.degawa All Rights Reserved.
| SBD | 133 | 140 | 144 | 156 | 157 | 158 | 159 | 160 | 161 | 163 | 164 | 165 | 166 | 167 |
| 200V3A30PHD18(選別品)4pcs\1,800-又はB6A20\2,300- | ○ | ○ | ○○ | ○ | ○ | ○ | ||||||||
| B60A15 \9,000- 又は30KRH、30KCH15のペア \2,000- | ○ | |||||||||||||
| 300V 10A S10A30×4 | ○ | |||||||||||||
| B60A20×2 1個 \9,500- | ○ | ○ | ||||||||||||
| B6A03 又はB6A06 | ○ | |||||||||||||
| B60A05 \8,500-×2 又はB60A15 \9,000-×2 | ○ | ○ | ○ | ○ | ○ | ○ | ○ | |||||||
| B6A06 \1,500- 又はB6A03 \1,400- | ○ | ○ | ○ | ○ | ||||||||||
| B6A06 \1,500- | ○ | |||||||||||||
| B4A44又はそのまま半波整流回路 S4A44に置き換え | ○ | ○ | ||||||||||||
| 半波回路 S2A105×4 1個 \3,200- | ○ | |||||||||||||
| S10A30×2 | ○ | |||||||||||||
| 30PHD18(選別品)4pcs\1,800- 又はB6A06 \1,500- | ○ | |||||||||||||
| ○印は、採用SBD |
No−133 オール-FET完全対称ドレイン出力A級50Wパワーアンプ Hp.LinkSBD化
No−140 6C33-B真空管DCアンプ
No−144 UHC MOS-FET DCパワーアンプB級50W×2
No−156 UHCMOS-FETハイブリッドDCパワーアンプ
No−157 真空管 DCプリーアンプ Hp.LinkSBD化
No−158 UHCMOS-FET パワーアンプ
No−159 オール-FET プリメインアンプ
No−160 差動出力UHCMOS-FET パワーアンプ
No−161 300B SEEP DCパワーアンプ
No−163 大電流型MOS-FET パワーアンプ
No−164 大電流型MOS-FET パワーアンプ
No−165 WE421Aパラpp DCパワーアンプ
No−166 真空管 DCプリーアンプ
参考
| SBD | 順方向電流 | ピーク逆電圧 | サージ電流 | 順方向電圧降下 | @0.1A | @0.5A | @1.0A | @3.0A | @15A |
| B6A03 | 6A | 36V | 75A | 0.44V@3A | |||||
| B6A06 | 6A | 60V | 75A | 0.58V@3A | 0.305V | 0.375V | |||
| B30A15 | 30A | 150V | 250A | 0.8V@15A | |||||
| B60A15 | 60A | 150V | 400V | 0.8V@30A | |||||
| B40A18 | 40A | 180V | 200A | 0.8V@20A | |||||
| B60A20 | 60A | 200V | 400A | 0.85V@30A | 0.576V | 0.758V | |||
| 30PHA18(選別品) | 4.71A | 180V(200V) | 60A | 0.8V@3A | 0.444V | 0.676V | |||
| S2A105 | 2A | 1050V | 40A | 2.2V@0.1A | |||||
| S10A30 | 10A | 300V | 140A | 1.72V@0.1A | 0.72V | 0.82V | 1.02V | ||
| B4A44 | 4A | 440V | 40A | 0.96V@0.1A | 0.96V | 1.37V | 1.50V | ||
| 31DF2 | 0.64V | 0.72V | |||||||
| 2504 | 0.840V | 0.953V |
《用語説明》
1.SBD※1 ショットキーバリアダイオード
N形半導体に直接、ショットキーゲートと呼ばれる電極を付け、金属と半導体の接触面で、逆方向電圧を阻止する働き(ショットキーバリア)を利用するダイオード。
特にスイッチング電源用として用いられる。
※1通常のダイオードは半導体のPN接合によって整流するが、SBDはN形半導体に直接電極を取り付け、半導体と金属の接合を利用する。順方向の電圧降下が少ないなどの利点があるが、製造コストがかかる。
2.BV(逆方向耐圧)
順方向電流を流さない状態での、逆方向ブレイクダウン電圧。
3.VF(順方向電圧降下、順方向損失)
順方向特性の良さを示す方法として、ある順方向電流を流したときの順方向電圧。