No.246 418A単管ドライブ,SCT2450KEソースフォロワードライブ段最新SiC MOS-FET ハイブリッドハイパワーIVC 　　　　　　SiC　SCT3030AL 2016.4.12

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昼少し前、図書館に行くとMJ'06.05月号が入っていた。いつもは15日前後なのにどうしたのか？取引先の本屋さんが変わったそうだ。さっそく、新SiCMOS-FETの型番がSCT3030ALということと、特性も一部掲載されている程度を確認。Vdsは650VでありSiCとしては珍しく低く、Idは70A、Pdmaxは262Wだ。歪特性も優れているようで、音を聴く限り素晴らしいらしい。初段も色々な真空管をチョイス出来るのも魅力である。作るとすれば初段はC3gにしたい。 そういえば、音楽専用？SiCとかいうものもあったが、とんと話題がなくなった。高いものは敬遠されるから、SCT2450KEがSiCパワーIVCの製作意欲向上に貢献したことは大したものだ。 できれば、記憶力の完璧な金田先生。No.239や240との比較も述べてほしいところと思うのは自分だけではないだろう。

発見	記事の基板裏写真コメントに珍しい言葉を目にした。「・・・ハンダの量は最小限にする。」 また、SAOCの調整ということで、「入力は0Vラインにショート、出力と0Vラインに10Ωを配し3mAに調整する。」一度だけ調整すれば良いと。今までの説明と違うような気がするが結果が同じならば良いと思うし、さすれば固定抵抗にすることも有りか。	For meこれはph7の製作備忘録
SAOC色々	No.244電流伝送プリアンプ・・・EQではSAOCは1mAに調整するとあり、一度だけ設定すれば良くその後は手を付けなくとも良いようだ。（しかし、ついついVRを回してVoを探ってしまう。） カレントラインアンプのSAOCは、VRでVoを0Vにする。と No.240超シンプルハイブリッドパワーIVCでは、使用する真空管によって404Aと448Aとでは調整が異なる？前者は、VRでVoを0Vにするとのみあるが流す電流について触れていない。後者は、前出のNo.246の方法と同一だが、2mA流すとある。  色々あって混乱する。
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